Componentes electrónicos : IRGTDN150M12

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Descripción : TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 280A I(C)

Temperatura : Min °C | Máx °C

Datasheet :

• IRGTDN150K06
• IRGTDN150M06
• IRGTDN150M12