Componentes electrónicos : F1001

Fabricante : POLYFET[Polyfet Devices]

Embalaje :

Pins :

Descripción : PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE POWER VDMOS TRANSISTOR

Temperatura : Min °C | Máx °C

Datasheet : F1001 PDF

• F10
• F10-SERIES
• F1001
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